1.结果表明：在辐照的剂量率范围内，无论是国产还是进口的双极晶体管，都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象，且NPN管比PNP管的明显。

2.在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。

3. 本文介绍了晶体管的雪崩原理，通过张弛振荡器、崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。

4. 本文叙述了发生在单结晶体管二阶受迫振荡电路中的倍周期分岔，周期迭加分岔和混沌现象，并讨论了这些现象的发生机理。

5.齐纳二极管，萧基二极管，双极晶体管。

6. 在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。

7. 此外，还介绍一个小型通用程序，它能对一些定向耦合器、平衡晶体管放大器以及电调衰减器等进行分析和优化设计。

8. 只有一个外部晶体管所需的变容二极管，线路驱动。

9.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

10. 硅互补PNP晶体管。达林顿功放。

11. 金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。

12.文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式。

13. 场效应晶体管，特别是双扩散场效应晶体管，及其制造方法。

14.触发器和存储模块的级别进行设计的。

15. 一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。

16. 富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。

17. 这些高速开关器件取代慢，少的高效双极晶体管，增改善的表现，双方的步进电机驱动器和伺服放大器。

18. 为了用不同开关电源设备代替Q1，例如NPN双极晶体管或继电器，指定Q2供给开关设备所需的控制电流。

19. 最有意义的是里头还有一个冷子管,它由MIT在当年开发完成,这之后取代了计算机中复杂昂贵的晶体管。

20.在这项新的研究中,研究人员对二氧化硅和钨的溶解特性进行了分析,这是他们用来制造场效应晶体管和环形振荡器的材料。

21. 一种其工作取决于固体材料中电或磁现象控制情况的元件，例如晶体管、晶体二极管和铁氧体磁芯等。

22. 其内部只不过是一串串极为普通的金属线和晶体管，但外观上却使人不敢等闲视之。

23. 当今市面上最好的芯片使用32纳米的平面晶体管，而下一代芯片将使用22纳米晶体管。

24. 固体物理学为我们带来了晶体管。

25. 本文在对器件的特性进行分析的基础上，对多输入浮栅MOS晶体管在电压型多值逻辑电路中的应用进行了研究。

26.最有意义的是里头还有一个冷子管,它由MIT在当年开发完成,这之后取代了计算机中复杂昂贵的晶体管。

27. 特别地，当一个高功率电磁脉冲突然加载在晶体管上时，会导致晶体管的电击穿或热击穿。

28. 在半导体收音机中晶体管代替了真空管.

29.日本最大的产业不是造船业，不是珍珠养殖业，亦不是晶体管收音机或摄像机生产业，而是娱乐业。

30. 这种特殊的几何结构不仅最大程度降低了不良效应,而且,和当今的平面晶体管相比,静电控制性能也得到了极大提升。

31.这也是我第一印象，很高兴得到你的认同，凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。

32. 晶体管是用几小片锗晶体组成的。

33.举例说明，20兆赫兹的峰点是钳位过程结束后主要由场效应晶体管输出电容和变压器漏感引起的寄生振荡产生的。

34.在双极晶体管中,指控制区域或和控制区相连的导电连接.

35. 阻容晶体管逻辑电路。

36. 将许多晶体管联结到集成块上的技术已发展成了.

37.阻容晶体管逻辑电路。

38. 其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

39.该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

40. 晶体管有三个电极,即发射极,基极和集电极.

41. 电子控制单元。包括由转速传感器控制的开关晶体管，用来断开或接通初级电路。

42.随着半导体产业的飞速发展,电子产品的尺寸越来越小,晶体管集成度越来越高,单个晶体管的尺度也越来越小,由尺寸效应等导致的量子效应也越来越明显。

43.没有量子力学，就不会有晶体管，从而就不会有个人电脑；没有激光，那么就不会有蓝光唱机。

44.顾名思义，晶体管常用作混频器，可以输出混频信号，并且是许多电子通讯系统的基本元件。

45. 本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法。

46.首先给出一种泄漏电流和延时的简化模型，并且在此基础上提出了一种降低泄漏电流的细粒度休眠晶体管插入法。

47.固体物理学为我们带来了晶体管。

48.介绍了用万用表检测集成电路块和单结晶体管的方法。

49.一般用途低级别的放大器和开关晶体管。

50. 该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。