1.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

2.它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。

3.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

4.村周围成千上万的沟道、石堰,为收藏石头提供了绝佳的天然场所。

5.提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。

6.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

7.产品型号稳定是加工水泵、纺织轴承沟道、滚道之最佳选择。

8.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

9.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

10.沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。

11.湖底扇、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

12.辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

13.它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。

14.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

15.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。

16.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。

17.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

18.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

19.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

20.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

21.藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。

22.全区的护田林带已达200多公里,许多侵蚀剧烈的沟道、河川被沙棘固定。

23.由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

24.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

25.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

26.基本保留了凤凰台、回水沟与厚慈街的位置,对十八梯、守备街、花街子、回水沟道路做了进一步改善。

27.带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。

28.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。

29.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。

30.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

31.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

32.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

33.骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。

34.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

35.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。

36.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.

37.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道.

38.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

39.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

40.实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。

41.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

42.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。

43.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

44.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

45.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

46.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

47.它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。

48.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

49.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.

50.当时,毛主席住在白育才家的五孔窑洞里,沟道对面是红军总部机关驻地,博古等人居住在此,相邻的同一排窑洞设有警卫排、伙房、机要室、电台部等。